特許
J-GLOBAL ID：200903006630204945
半導体発光素子およびその製造方法並びに半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237525
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159297
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 所定の発光波長の光を発する活性層5を含む半導体積層3、4、5、6、7、8と、この半導体積層に対して直接接合された、上記発光波長に対して透明な基板10とを備えた半導体発光素子であって、直接接合面14内にヒロック等に起因する不完全接合が生じた場合でも、良好な電気的特性を示すことができ、高い歩留まりが得られるものを提供すること。【解決手段】 半導体積層3、4、5、6、7、8の一部領域に、表面から活性層5の位置を越える深さをもつ底部8aが形成されている。半導体積層3の表面に第1電極11、13が設けられ、また、底部8aに第2電極が設けられている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
所定の発光波長の光を発する活性層を含む半導体積層と、
上記半導体積層に対して直接接合された、上記発光波長に対して透明な基板とを備え、
上記半導体積層の一部領域に、上記基板に対する直接接合面とは反対側の表面から上記活性層の位置を越える深さをもつ底部が形成され、
上記半導体積層の上記表面、上記底部にそれぞれ設けられた第1電極、第2電極とを備えた半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA41
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041DA07
, 5F041FF01
, 5F041FF11
, 5F041FF14
