半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-317232
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176504
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】ゲート酸化膜の成膜に先立って、不良要因を整合的に除去すること。【構成】表面に自然酸化膜が形成された半導体基板を反応室内に収容し、半導体基板を外気から遮断した状態で、以下の順序でゲート酸化膜を形成する。1.自然酸化膜の表面,内部に存在する有機物,金属の不純物をドライ洗浄によって除去する。2.自然酸化膜をドライ洗浄によって除去する。3.自然酸化膜が除去された領域にゲート酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

表面に自然酸化膜が形成された被処理基体を処理室内に収容し、前記被処理基体を外気から遮断した状態で、前記自然酸化膜に存在する有機物または金属の少なくとも一方をドライ洗浄によって除去する第1の工程と、この第1の工程後、前記自然酸化膜をドライ洗浄によって除去する第2の工程と、前記自然酸化膜が除去された領域に絶縁膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-226159
特開昭64-004026
特開平2-151031

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