特許
J-GLOBAL ID:200903006638981401
ZnSe単結晶の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
丸岡 政彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-298916
公開番号(公開出願番号):特開平7-133183
出願日: 1993年11月04日
公開日(公表日): 1995年05月23日
要約:
【要約】【目的】 均一かつ高品位な単結晶を、安価かつ簡易な手段によって短時間で製造することができるZnSe単結晶の製造方法の提供。【構成】 まず、石英製ルツボ1の先端部にシード2を配置した後、溶媒(フラックス)3としてIn(6N)を150g装填し、その上部に、予め高圧溶融法によって合成したZnSe多結晶体からなる原料4を装填する。次に、該ルツボ1をヒーター6および水冷ジャケット7を有している電磁撹拌型成長炉にセットし、1000°Cまで昇温させて1時間保持した後、シード側を985°Cまで0.4°C/min の降温速度で冷却する。この時、希土類磁石が取り付けられたリング状の軟鉄からなる回転体5を500rpm の速度で回転させ、溶媒3中に電磁誘導により撹拌を行いながら結晶成長を行う。
請求項(抜粋):
ZnおよびSe、またはZnSe多結晶体から成る成長原料を溶質として、溶媒中で結晶成長させる単結晶の製造方法において、溶媒中の溶質を撹拌することによって濃度を均一にし、かつ拡散速度を速くすることにより高純度な単結晶を短時間に生成せしめることを特徴とするZnSe単結晶の製造方法。
IPC (2件):
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭57-118086
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特開昭63-270378
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特開昭63-285183
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単結晶の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-259154
出願人:住友電気工業株式会社
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