窒化物半導体のエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035920
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233385
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】窒化物系化合物半導体をエッチングすることによって、形成される端面の形状や垂直性が十分制御でき、かつ再現性の良いエッチング方法は確立していなかった。そこで、本発明は再現性良くかつ制御性の良い水溶液中のエッチングの方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明では、窒化物半導体のエッチング方法として、窒化物半導体結晶に結晶欠陥を発生させ、その後、エッチング液を用いて該半導体結晶をエッチングする方法を用いることによって上記課題を解決した。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体結晶に結晶欠陥を発生させ、その後、エッチング液を用いて該窒化物半導体結晶をエッチングすることを特徴とする窒化物半導体のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/306 E , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-073855 出願人：株式会社東芝
特開昭55-145344
特開昭59-213135

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