光導波路素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森岡正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303435
公開番号（公開出願番号）：特開平11-119265
出願日： 1997年10月18日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、低駆動電圧特性と低伝搬損失特性を同時に充足して、各種の偏向素子、スイッチング素子、あるいは変調素子へ利用可能な光導波路素子を提供することを目的とする。【解決手段】SrTiO3クラッド層3を有するプリズム型EO偏向素子へ、レーザ光源9で633nmの波長のレーザ・ビーム6を生成し、レンズ10でコリメートした後、PZT薄膜光導波路1へ入射プリズム5を介して導入する。入射したレーザ・ビーム6は下部NbドープSrTiO3基板電極2とプリズム型上部Al電極7の間に電圧を印加することによりプリズム電極7下の部分とそれ以外の部分において異なる屈折率が発生し、レーザ・ビームが偏向される。偏向されたレーザ・ビーム6は端面からの出射ビーム8として出射される。

請求項（抜粋）：

導電性または半導電性の下部電極となる単結晶基板と、前記単結晶基板表面に形成されたエピタキシャルまたは単一配向性の強誘電体薄膜の光導波路と、前記光導波路上に形成されたクラッド層と、前記クラッド層上に形成された上部電極となる金属薄膜とを備えたことを特徴とする光導波路素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

光偏向素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-176939 出願人：富士ゼロックス株式会社

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