特許
J-GLOBAL ID：200903006688918263
不揮発性メモリアレイを読むための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102638
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102199
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 改良された読出サイクル動作に従って読まれる、単一トランジスタのメモリセルのアレイを有する不揮発性メモリ素子が提供される。【解決手段】 単一のビット線16を介して他のセルに相互に接続される選択されたセル12はそれのプログラムされたまたはされない状態を識別するのに必要な活性化を保証される。選択されたセルに接続される非選択状態セルはそれらに関連するワード線20に負の電圧を印加することによって非活性を有利に保証される。この負の電圧は単一トランジスタのMOSデバイスに関連するしきい値電圧よりも小さい。非選択状態セルはしたがって非活性に保持されて、アレイのプログラムされた状態にもっぱら依存する単一の活性または非活性の選択されたセルを与える。非選択状態セルにかけられる負の電圧は、デプレッション形動作に常時関連づけられる過消去されたセルの漏れを最小限にする。
請求項（抜粋）：
ワード線とビット線とを各々が有する、複数の単一トランジスタのメモリセルを有する不揮発性メモリアレイを設けるステップと、読まれるべき活性メモリセルのワード線に正の電圧を印加するステップと、読まれるべきでない非活性メモリセルのワード線に負の電圧を印加するステップとを含む、不揮発性メモリアレイを読むための方法。
FI (2件)：
G11C 17/00 520 A
, G11C 17/00 309 K
