特許
J-GLOBAL ID：200903006698397822
透明基材のレーザ加工方法および電解質膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 石川 滝治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-117231
公開番号（公開出願番号）：特開2009-262216
出願日： 2008年04月28日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】超微細で高アスペクト比の加工孔を高精度でかつ効率的に製造することのできる透明基材のレーザ加工方法と、これによってできる多孔質透明基材を使用してなる電解質膜の製造方法を提供する。【解決手段】光透過性の透明基材Wの一側面側を減圧雰囲気とし、かつ、該一側面を光吸収性の不透明液体Fに接触させておき、透明基材Wの他側面側から超短パルスレーザ光の干渉光L3を照射して透明基材Wを透過させ、透明基材Wと不透明液体Fの界面付近に干渉光のレーザエネルギを集中させることで透明基材Wに微細加工孔Pを形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光透過性の透明基材の一側面側を減圧雰囲気とし、かつ、該一側面を光吸収性の不透明液体に接触させておき、
前記透明基材の他側面側から超短パルスレーザ光の干渉光を照射して該透明基材を透過させ、透明基材と不透明液体の界面付近に前記干渉光のレーザエネルギを集中させることで透明基材に微細加工孔を形成することを特徴とする、透明基材のレーザ加工方法。
IPC (4件)：
B23K 26/36
, B23K 26/12
, B23K 26/18
, H01M 8/02
B23K26/36
, B23K26/12
, B23K26/18
, H01M8/02 P
4E068AH00
, 4E068CA03
, 4E068CF00
, 4E068CJ09
, 4E068DA00
, 5H026AA06
, 5H026BB00
, 5H026EE18
