特許
J-GLOBAL ID：200903006707769916
真空薄膜形成装置等の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027639
公開番号（公開出願番号）：特開平6-220600
出願日： 1993年01月21日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体の製造過程において使用される真空薄膜形成装置等の洗浄において、装置の材質を腐食することなく、作業性が良く、洗浄性の良好な洗浄方法を提供する。【構成】 真空薄膜形成装置等の内部表面に、予めアルミニウムや銅等の特定の膜を溶射法により形成させておき、装置が汚染された後、特定の酸を用いて洗浄することを特徴とする真空薄膜形成装置等の洗浄方法。
請求項（抜粋）：
基板表面上に薄膜を形成する真空薄膜形成装置、あるいは基板上の薄膜をエッチングするエッチング装置であって、基板上に薄膜を形成する前に、あるいは基板上の薄膜をエッチングする前に、予め該真空薄膜形成装置内部表面、およびエッチング装置内部表面に溶射法によりアルミニウム、アルミ合金、銅、あるいは銅合金のいずれかで膜厚10〜500ミクロンの膜を形成しておき、次いで、真空薄膜形成、あるいはエッチングが行われた後、前記アルミニウム、あるいはアルミ合金で膜が施されてされている時は、塩酸の水溶液で、また、前記銅、あるいは銅合金で膜が施されているときは硝酸で洗浄することを特徴とする真空薄膜形成装置及びエッチング装置の洗浄方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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