特許
J-GLOBAL ID：200903006712779164
透明導電積層体およびこれを用いたタッチパネル
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319411
公開番号（公開出願番号）：特開平9-161542
出願日： 1995年12月07日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高電気抵抗の透明導電膜を備えた透明導電積層体を再現性よく得、また、入力精度の高いタッチパネルを再現性よく得る。【解決手段】 インジウムInと、錫Snと、チタンTi,イリジウムIr,イットリウムY,クロムCr,亜鉛Zn,ジルコニウムZr,ハフニウムHf,タンタルTa,コバルトCo,ビスマスBiおよびマンガンMnからなる群より選択された少なくとも1種の金属元素と、酸素Oとを構成元素とし、前記金属元素の総量の原子比(全金属原子)/(In+Sn+全金属原子)が2.2〜40at%である酸化物膜からなり、膜厚および比抵抗が添付図面の図1に示す点A,B,C,Dを頂点とする四角形の範囲内にある透明導電膜を電気絶縁性の透明基材上に形成して透明導電積層体を得る。また、タッチパネルを構成している2枚の透明電極基板の少なくとも一方として、上記の透明導電積層体を用いる。
請求項（抜粋）：
電気絶縁性の透明基材と、この透明基材上に形成された透明導電膜とを有し、前記透明導電膜が、インジウム(In)と、錫(Sn)と、チタン(Ti),イリジウム(Ir),イットリウム(Y),クロム(Cr),亜鉛(Zn),ジルコニウム(Zr),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),コバルト(Co),ビスマス(Bi)およびマンガン(Mn)からなる群より選択された少なくとも1種の金属元素と、酸素(O)とを構成元素とし、前記金属元素の総量の原子比(全金属原子)/(In+Sn+全金属原子)が2.2〜40at%である酸化物膜からなり、該透明導電膜の膜厚および比抵抗が、添付図面の図1に示す点A,B,C,Dを頂点とする四角形の範囲内にあることを特徴とする透明導電積層体。
IPC (4件)：
H01B 5/14
, C23C 14/08
, H01H 13/70
, H05K 1/09
H01B 5/14 A
, C23C 14/08 D
, H01H 13/70 E
, H05K 1/09 A
