特許
J-GLOBAL ID:200903062654408573
スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
東海 裕作 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-328827
公開番号(公開出願番号):特開平6-157036
出願日: 1992年11月13日
公開日(公表日): 1994年06月03日
要約:
【要約】【目的】200〜3000Ω/□の比較的高抵抗で、均一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得る成膜方法を提供する。【構成】成膜に際し、第三成分を、Inに対して0.05〜20原子%添加してなるスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。【効果】該方法により、高抵抗、かつ、均一性に優れたITO膜をより効率的に成膜することができる。
請求項(抜粋):
スズドープ酸化インジウム膜の成膜に際し、第三成分を添加して成膜することを特長とするスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。
IPC (3件):
C01G 19/00
, C03C 17/245
, H01C 7/00
引用特許:
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