特許
J-GLOBAL ID：200903006725523800
非磁性スペーサ層で分離された第1及び第2強磁性層を具える装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-565410
公開番号（公開出願番号）：特表2003-521808
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2003年07月15日
要約：
【要約】センサ又はメモリ素子は固定強磁性層又はフリー強磁性層を具える。フリー層(メモリの場合)又は固定層(センサの場合)の書込みを容易にするために、本発明の装置では書き込むべき又はスイッチすべき層を非磁性スペーサ層(3)で分離された2つの強磁性サブ層(1、2)を具える多層膜構造とし、2つの強磁性サブ層をそれらの磁化方向(M1、M2)が反平行になるように磁気的に結合し、且つ面内切換え電流又はリセット電流を多層膜構造に、磁気的に結合されたサブ層の磁化方向に対し横方向に流す手段を設ける。
請求項（抜粋）：
非磁性スペーサ層で分離された第1及び第2強磁性層を具え、抵抗値が第1及び第2強磁性層の磁化方向の向きに依存する装置において、第1及び第2磁性層の一方又は両方が、非磁性スペーサ層で分離された2つの強磁性サブ層を具える多層膜構造を有し、前記2つの強磁性サブ層はそれらの磁化方向が反方向になるように磁気的に結合されており、且つ当該装置は、面内切換え電流又はリセット電流を多層膜構造に流す手段を具え、前記電流の方向が磁気的に結合されたサブ層の磁化方向に対し横方向であることを特徴とする磁気装置。
IPC (8件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, H01F 10/32
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/14 Z
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, H01F 10/32
, H01L 27/10 447
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD54
, 2G017AD65
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA08
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5F083FZ10
