特許
J-GLOBAL ID：200903006744637663
イメージセンサー及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-188782
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013522
出願日： 2005年06月28日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 イメージセンサー及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 一つの実施形態で、感光性素子は、半導体基板内に形成される。感光性素子は、感光性領域を含む。シリコン酸化窒化膜を含む反射防止膜が感光性領域上に形成される。シリコン酸化窒化膜は、屈折率を増加させるために熱処理して、感光性領域の接合部から入射する光の反射率を減少させる。したがって、本発明は、現在のイメージ素子、例えば、電荷結合素子及びCMOSイメージ素子に適用される。【選択図】 図7E
請求項（抜粋）：
半導体基板内に感光性領域を含む感光性素子を形成する工程と、
前記感光性素子上にシリコン酸化窒化膜を含む反射防止膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化窒化膜の屈折率を向上させるための熱処理を行う工程と、を含むイメージ素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H04N 5/335
, H01L 27/14
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
, H01L27/14 D
4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA32
, 4M118CA34
, 4M118GB03
, 4M118GB11
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024BX01
, 5C024CY47
, 5C024EX43
, 5C024GY31
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
