微細パターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-151983
公開番号（公開出願番号）：特開平8-076385
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】レジスト膜の表面に金属アルコキシドを供給してレジスト膜の露光部の表面に膜厚の厚い酸化膜を形成することができるようにして、レジストパターンの寸法精度を向上させる。【構成】 KrFエキシマレーザが照射されると酸を発生し、該酸により反応する化学増幅型レジストを用いて半導体基板10の上にレジスト膜11を形成する。マスク12を用いてKrFエキシマレーザ13を照射すると、レジスト膜11の露光部11aの表面において酸が発生し、この酸により露光部11aの表面は親水性に変化する。レジスト膜11の表面に水蒸気14を供給すると、露光部11aにおける表面から深い部位まで水が拡散する。相対湿度95%の空気中においてメチルトリエトキシシランの蒸気15をレジスト膜11の表面に吹き付けると、露光部11aの表面に膜厚の大きい酸化膜16が選択的に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、エネルギービームが照射されると酸を発生する酸発生剤を含むレジストを塗布してレジスト膜を形成する第1の工程と、前記レジスト膜にエネルギービームを照射して前記レジスト膜の露光部に含まれる酸発生剤から酸を発生させる第2の工程と、酸が発生した前記レジスト膜の露光部に水を吸収させる第3の工程と、水を吸収した前記レジスト膜の露光部の表面に水及び金属アルコキシドを供給して、前記レジスト膜の露光部に金属酸化膜を形成する第4の工程と、前記金属酸化膜をマスクとして前記レジスト膜に対してドライエッチングを行なってレジストパターンを形成する第5の工程とを備えていることを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/38 512 , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 505 , G03F 7/20 505 , G03F 7/36 , H01L 21/027

FI (5件)：

H01L 21/30 529 , H01L 21/30 568 , H01L 21/30 569 E , H01L 21/30 569 H , H01L 21/30 579

引用特許：

審査官引用 (2件)

レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-222520 出願人：日本ペイント株式会社
特開平4-060551

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