特許
J-GLOBAL ID：200903038164541730
レジストパターンの形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222520
公開番号（公開出願番号）：特開平5-150459
出願日： 1991年05月24日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【構成】 基板上に活性光線の照射により酸を発生し得る化合物を含む樹脂組成物を被覆して感光膜を作り、次に該感光膜にパターンマスクを通して活性光線を照射し、露光域に酸を発生させ、次に全面にアルコキシシランガスを通じ露光域に酸化珪素被膜を形成させ、次いでドライエッチングで非露光域の感光膜を除去するレジストパターンの形成方法。【効果】 本発明方法により半導体素子、磁気バブルメモリ素子等の微細パターンをもつ電子回路素子の製造に有用なサブミクロンレベルの微細レジストパターンが形成しうる。
請求項（抜粋）：
基板上に活性光線の照射により酸を発生し得る化合物を被覆し、この化合物にパターンマスクを通して活性光線を照射し、次に全面にアルコキシシランガスを通じ次いでドライエッチングにより取り除くことからなる、レジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/38 512
, G03F 7/029
, G03F 7/36
, H01L 21/302
