特許
J-GLOBAL ID：200903006802425345
バックコンタクト型太陽電池とその製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
廣江 武典
, 武川 隆宣
, ▲高▼荒 新一
, 西尾 務
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-552300
公開番号（公開出願番号）：特表2007-521668
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
エミッターラップスルー(EWT)バックコンタクト型太陽電池の製造方法と、その方法で製造された電池が提供される。前面あるいは背面の平均ドーパント濃度と比較して高い濃度のドーパントが導電バイアに提供され、効率を高める。また、印刷されたドーパントペーストの利用により、導電バイアの形成のために孔の選択的ドーピングが提供される。ドーパントを含んだスピンオングラス基板の利用法も提供される。
請求項（抜粋）：
エミッターラップスルー(EWT)太陽電池の製造方法であって、
半導体ウェハーに前面と背面とを提供し、該前面を該背面に接続する複数の孔をさらに提供するステップと、
前記背面の孔を含んだパターンで第1ドーパント拡散ソースを前記背面に提供するステップと、
前記背面の孔を含まないパターンで第2ドーパント拡散ソースを前記背面に提供するステップと、
前記第1ドーパント拡散ソースと前記第2ドーパント拡散ソースからのドーパントを燃焼処理によって前記半導体ウェハー内に拡散させるステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F051AA02
, 5F051CB12
, 5F051CB18
, 5F051CB21
, 5F051CB27
, 5F051DA20
, 5F051FA06
, 5F051FA16
, 5F051FA17
, 5F051FA24
, 5F051FA30
, 5F051GA04
, 5F051GA20
