特許
J-GLOBAL ID:200903006807353067
炭素材料薄膜の製膜方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
吉田 俊夫
, 吉田 和子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-354822
公開番号(公開出願番号):特開2006-063436
出願日: 2004年12月08日
公開日(公表日): 2006年03月09日
要約:
【課題】炭素材料の溶媒中における分散性を向上させて、吸着性が良好でかつ薄膜形成が可能な炭素材料の製膜方法を提供する。【解決手段】炭素材料を、塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素系溶媒中に分散させ、この溶媒中で被被覆材を陽極として電圧を印加し、陽極材表面上に炭素材料薄膜を形成する。この際、被被覆材陽極としてカーボンシートを用いた場合あるいは分散剤を添加した炭化水素系溶媒中に分散させた炭素材料としてのカーボンナノチューブの分散平均粒子径を100〜1000nmと設定した場合には、吸着量および吸着層中のカーボンナノチューブ重量割合をいずれも有効に増加させることができる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
炭素材料を、塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素系溶媒中に分散させ、この溶媒中で被被覆材を陽極として電圧を印加し、陽極材表面上に炭素材料薄膜を形成せしめることを特徴とする炭素材料薄膜の製膜方法。
IPC (10件):
C25D 13/02
, C01B 31/02
, C01B 31/04
, C25D 13/10
, H01M 4/02
, H01M 4/04
, H01M 4/58
, H01M 4/88
, H01M 8/02
, H01M 8/10
FI (10件):
C25D13/02 Z
, C01B31/02 101F
, C01B31/04 101Z
, C25D13/10 B
, H01M4/02 D
, H01M4/04 A
, H01M4/58
, H01M4/88 C
, H01M8/02 B
, H01M8/10
Fターム (28件):
4G146AA02
, 4G146AA11
, 4G146AD22
, 4G146AD24
, 4G146CB10
, 4G146CB12
, 4G146CB29
, 4G146CB35
, 5H018AA06
, 5H018AS01
, 5H018BB07
, 5H018DD08
, 5H018EE05
, 5H018HH01
, 5H026AA06
, 5H026BB04
, 5H026CX04
, 5H026EE05
, 5H026HH01
, 5H050AA02
, 5H050AA12
, 5H050BA17
, 5H050CB07
, 5H050FA02
, 5H050FA18
, 5H050GA22
, 5H050GA24
, 5H050HA05
引用特許: