特許

J-GLOBAL ID：200903006817952120

ソルダボールを用いたマイクロ電子機械システムの製造方法

発明者： 金 雲 培 ,  左 聖 熏 ,  崔 ▲ミン▼ ▲ソ▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-046490
公開番号（公開出願番号）：特開2004-255562
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】マイクロ電子機械システムと外部の電気構成要素を電気的に連結しリークを防止して性能に優れるマイクロ電子機械システムを提供する。 【解決手段】マイクロ電子機械システムの製造方法は、半導体基板の上部に絶縁膜200を形成する段階、絶縁膜の上部に構造層300を形成しエッチングする段階、構造層上部の所定位置にアンダーバンプメタル500aをパターニングして形成する段階、ガラス基板400に構造層のアンダーバンプメタルに相応する位置に上部直径が下部直径より大きいビア孔600を形成し、ガラス基板が構造層の構造物を保護する真空室401を形成しつつ構造層の上部に接着される段階、およびビア孔にソルダボール700を配し溶融してアンダーバンプメタルとソルダボールが結合する段階とを含む。 【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板の上部に絶縁膜をパターニングして形成する段階と、 (b)前記絶縁膜の上部に構造層を形成しエッチングする段階と、 (c)前記構造層の上部の所定位置にアンダーバンプメタルをパターニングして形成する段階と、 (d)ガラス基板に前記構造層のアンダーバンプメタルに相応する位置に上部直径が下部直径より大きいビア孔を形成し、前記ガラス基板が前記構造層の構造物を保護する真空室を形成しつつ前記構造層の上部に接着される段階と、 (e)前記ビア孔にソルダボールを配置し溶融して前記アンダーバンプメタルと前記ソルダボールが結合する段階とを含むことを特徴とするマイクロ電子機械システムの製造方法。

IPC (4件)：

B81C1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/12

FI (5件)：

B81C1/00 ,  H01L23/10 B ,  H01L23/12 F ,  H01L21/92 602H ,  H01L21/92 602G

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 外力検出装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-029664   出願人：株式会社村田製作所
• アメリカ特許第6、391、742号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 微小機械装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-119572   出願人：日本電信電話株式会社