特許
J-GLOBAL ID：200903006822628714
フォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038093
公開番号（公開出願番号）：特開平10-240783
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 微細加工精度が向上したフォトマスクパターンを簡易に得ることができるフォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法を得ること。【解決手段】 本発明は、微細加工精度の向上を図る目的で通常のフォトマスクパターンにおける最適化すべきフォトマスクパターン部分を抽出するための条件たるパターンデザインルールの入力に用いられるパターン特徴入力部2と、通常のフォトマスクパターンがパターンデザインルールに適合するか否かをチェックするデザインルールチェック部6と、フォトマスクパターンにおいて最適化すべき最適化前パターンセルを抽出するパターン抽出部7と、上記最適化前パターンセルのデータをデータベースの最適化後パターンセルデータに置換するパターン変換部9とを有している。
請求項（抜粋）：
フォトマスクパターンのフォトマスクパターンデータを生成するフォトマスクパターンデータ生成手段と、前記フォトマスクパターンデータに基づいて、前記フォトマスクパターンにおいて所定の条件を満たすパターンセルを抽出するパターンセル抽出手段と、複数の前記パターンセルに対して光強度シミュレーションを行い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算により各々求めた結果に基づいて、微細加工用に最適化された複数の最適パターンセルをデータベースとして予め記憶する記憶手段と、前記パターンセル抽出手段により抽出された前記パターンセルを前記データベースの前記最適パターンセルに置換する置換手段と、を具備することを特徴とするフォトマスクパターン設計装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06F 15/60 636 B
, G03F 1/08 A
