特許

J-GLOBAL ID：200903006823300984

プロトン伝導体

発明者： 今宿 晋 ,  宇田 哲也 ,  粟倉 泰弘
出願人/特許権者： 今宿 晋 ,  宇田 哲也 ,  粟倉 泰弘
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-189873
公開番号（公開出願番号）：特開2009-023883
出願日： 2007年07月20日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：

【課題】プロトン伝導体の結晶粒径を大きくして全体の抵抗を低下させる。【解決手段】AZrO3(Aはアルカリ土類金属)の組成式で表記されるペロブスカイト構造を有する酸化物であるプロトン伝導体において、Zrを元素Ma及びMbで置換する。元素MaはMaはY、Ho、Er、Tm、Yb及びLuからなる元素群のうち少なくとも1種類の元素、元素MbはSc及びInのうち少なくとも1種類の元素である。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

組成式AZr1-x-yMaxMbyO3(Aはアルカリ土類金属のうち1種類の元素、MaはY、Ho、Er、Tm、Yb及びLuからなる元素群のうち少なくとも1種類の元素、MbはSc及びInのうち少なくとも1種類の元素であり、x、yは0<x<1,0<y<1,0<x+y<1を満たす)で表される、ペロブスカイト型構造を有する酸化物からなることを特徴とするプロトン伝導体。

IPC (4件)：

C01G 25/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12 ,  H01B 1/06

FI (4件)：

C01G25/00 ,  H01M8/02 K ,  H01M8/12 ,  H01B1/06 A

Fターム (16件)：

4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC06 ,  4G048AC08 ,  4G048AD03 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  5G301CA15 ,  5G301CA26 ,  5G301CA28 ,  5G301CD01 ,  5G301CE02 ,  5H026AA06 ,  5H026EE12 ,  5H026EE13 ,  5H026HH05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 混合イオン伝導体およびこれを用いたデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-031734   出願人：松下電器産業株式会社