特許
J-GLOBAL ID：200903006830901047
緻密な焼結体、その製造方法およびハードディスク記憶装置製造用の該焼結体からなる基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209089
公開番号（公開出願番号）：特開平10-095671
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 安価な焼結方法で製造できる、ハードディスク記憶装置の製造に使用できる炭化ケイ素をベースとする材料を提供する。【解決手段】 a)45〜99.5重量%までがSiCからなり、この場合SiCが焼結体中で結晶質の第1相として存在し、かつb)0.5〜55重量%までが焼結助剤からなり、この場合焼結助剤が焼結体中で第2相および場合によりさらに別の相として存在する緻密な焼結体において、第2および場合によりさらに別の相が10%より多くまで非晶質であるか、または第1相との界面で少なくとも幅≧5Åで非晶質で存在し、かつ焼結体のポリッシング表面が直径1>μmの孔を有さないことを特徴とする、緻密な焼結体により解決される。【効果】 コンピュータのハードディスク記憶装置製造用の基板に適している。
請求項（抜粋）：
a)45〜99.5重量%までがSiCからなり、この場合SiCが焼結体中で結晶質の第1相として存在し、かつb)0.5〜55重量%までが焼結助剤からなり、該助剤は0.5〜30重量%までがAl2O3とY2O3との反応生成物、少なくとも一種の窒素含有アルミニウム化合物1種およびAl2O3とY2O3との反応生成物の混合物、少なくとも1種の希土類酸化物と少なくとも1種の窒素含有アルミニウム化合物および/またはAl2O3の混合物の群から選択され、かつ0〜25重量%までが窒化ケイ素化合物の群から選択され、この場合焼結助剤が焼結体中で第2相および場合によりさらに別の相として存在する緻密な焼結体において、第2相および場合によりさらに別の相が10%より多くまで非晶質であるか、または第1相との界面で少なくとも幅≧5Åで非晶質で存在し、かつ焼結体のポリッシング表面が直径1>μmの孔を有さないことを特徴とする、緻密な焼結体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B 35/56 101 F
, G11B 5/62
