特許
J-GLOBAL ID：200903006845432000

半導体装置とその製造方法

発明者：
菊地 修一

菊地 修一 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120428
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312002
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧化並びにオン抵抗の低減化を図る。【解決手段】 本発明の半導体装置は、P型の半導体基板1のゲート絶縁膜6上に形成されたゲート電極7と、前記ゲート電極7に隣接するように形成されたP型ボディー領域3と、前記P型ボディー領域3内に形成されたN型のソース領域4並びにチャネル領域8と、前記P型ボディー領域3と離間された位置に形成されたN型のドレイン領域5と、前記チャネル領域8から前記ドレイン領域5にかけて、少なくとも前記ゲート電極7下では浅く、かつドレイン領域5近傍では深く形成されたドリフト領域(N-層22)とを有するもので、前記P型ボディー領域3は、前記ゲート電極7下に浅く形成された第1のN-層22A下方まで延在し、かつその領域では浅く形成された第1のボディー領域3Aを有する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極に隣接するように形成された第1導電型ボディー領域と、前記第1導電型ボディー領域内に形成された第2導電型のソース領域並びにチャネル領域と、前記第1導電型ボディー領域と離間された位置に形成された第2導電型のドレイン領域と、前記チャネル領域から前記ドレイン領域にかけて、少なくとも前記ゲート電極下では浅く、かつドレイン領域近傍では深く形成された第2導電型のドリフト領域とを有する半導体装置において、前記第1導電型ボディー領域は、前記ゲート電極下に浅く形成された第2導電型のドリフト領域下方まで延在し、かつその領域では浅く形成されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (12件)：
5F040DA00 ,  5F040DA22 ,  5F040DB01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC19 ,  5F040EF02 ,  5F040EF18 ,  5F040EK01 ,  5F040EM01 ,  5F040EM02 ,  5F040EM03 ,  5F040FC14
引用特許：
審査官引用 (5件)
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