原子層堆積反応装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：三枝英二 , 舘泰光 , 眞下晋一 , 松本公雄 , 立花顕治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-520873
公開番号（公開出願番号）：特表2004-538374
出願日： 2002年08月15日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

基板を、複数の気相反応物質が交互に繰り返す表面反応にさらすことによって、基板(16)に薄膜を成長させる様々な反応装置を開示する。一実施形態では、反応装置(12)は、反応室(14)を備える。シャワーヘッドプレート(67)が、反応室(14)を上部と下部とに分ける。第1の前駆体が、反応室(14)の下半分の部分へ方向付けられ、第2の前駆体が、反応室(14)の上半分の部分へ方向付けられる。基板(16)は、反応室(14)の下半分の部分内に配置される。シャワーヘッドプレート(67)は、複数の通路(72)を含み、その結果、反応室(14)の上半分の部分が、下半分の部分と連通する。別の構成では、反応室(14)は、シャッタープレート(120)を含む。他の構成では、シャワーヘッドプレート(67)は、反応室(14)中を流れるガスの局所的な流れのパターンを変える構成とされる。

請求項（抜粋）：

基板を、複数の気相反応物質が交互に繰り返す表面反応にさらすように構成された反応装置であって、反応空間を画定する反応室と、前記反応空間内に配置され、該反応空間を、基板が配置される第1の部分と、第2の部分とに分けるシャワーヘッドプレートと、前記反応空間の前記第1の部分と連通した第1の前駆体源と、前記反応空間の前記第2の部分と連通した第2の前駆体源と、を有し、前記シャワーヘッドプレートは、基板上における前記表面反応を水平方向に調節するように構成されている反応装置。

IPC (1件)：

C23C16/455

FI (1件)：

C23C16/455

Fターム (3件)：

4K030BB12 , 4K030EA03 , 4K030EA05

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平1-246365
特開平1-246365
特開昭55-130896

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