特許
J-GLOBAL ID:200903045434178222

化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 八田 幹雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-275664
公開番号(公開出願番号):特開平11-172438
出願日: 1998年09月29日
公開日(公表日): 1999年06月29日
要約:
【要約】【課題】 化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板を蒸着室内に装入する段階と、金属ソースを蒸着室内に流す段階と、金属ソースの流入を遮断し、パージガスを蒸着室内に流して蒸着室内に残留する前記金属ソースを除去する段階と、パージガスの流入を遮断し、窒素ソースを蒸着室内に流して前記半導体基板上に吸着した前記金属ソースと反応させる段階と、窒素ソースの流入を遮断しパージガスを蒸着室内に流して蒸着室内に残留する前記窒素ソースを除去する段階とを具備して、前記半導体基板上に金属窒化膜を形成することを特徴とする。これにより、500°C以下の低温で段差塗布性に優れながら低い比抵抗と低いCl含量とを備える金属窒化膜が得られ、蒸着速度が概略20Å/cycle で大量生産にも適している。
請求項(抜粋):
金属ソースと窒素ソースを前駆体として使用する化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法において、(a)半導体基板を蒸着室内に装入する段階と、(b)前記金属ソースを蒸着室内に流す段階と、(c)前記金属ソースの流入を遮断し、パージガスを蒸着室内に流して蒸着室内に残留する前記金属ソースを除去する段階と、(d)前記パージガスの流入を遮断し、窒素ソースを蒸着室内に流して前記半導体基板上に吸着した前記金属ソースと反応させる段階と、(e)前記窒素ソースの流入を遮断しパージガスを蒸着室内に流して蒸着室内に残留する前記窒素ソースを除去する段階とを具備して、前記半導体基板上に金属窒化膜を形成することを特徴とする金属窒化膜形成方法。
IPC (6件):
C23C 16/34 ,  C01B 21/076 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768
FI (6件):
C23C 16/34 ,  C01B 21/076 B ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/90 A
引用特許:
審査官引用 (5件)
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