シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380456
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203957
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜を、非接触、非破壊で観測し、その膜質を評価することができるシリコン酸化膜の評価方法及び装置を提供する。【構成】シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の膜質を評価するシリコン酸化膜の評価方法において、シリコン酸化膜に対して、異なる角度で入射する複数の入射光を照射し、複数の入射光に対するシリコン酸化膜での反射光をそれぞれ測定し、複数の入射光と複数の反射光から異なる角度に対する反射率をそれぞれ演算し、異なる角度に対する反射率に基づいて、シリコン酸化膜の誘電関数を演算し、誘電関数に基づいてシリコン酸化膜の膜質を評価する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の膜質を評価するシリコン酸化膜の評価方法において、前記シリコン酸化膜に対して、異なる角度で入射する複数の入射光を照射し、前記複数の入射光に対する前記シリコン酸化膜での反射光をそれぞれ測定し、前記複数の入射光と前記複数の反射光から異なる角度に対する反射率をそれぞれ演算し、前記異なる角度に対する反射率に基づいて、前記シリコン酸化膜の誘電関数を演算し、前記誘電関数に基づいて前記シリコン酸化膜の膜質を評価することを特徴とするシリコン酸化膜の評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01N 21/35 , G01N 21/41

FI (3件)：

H01L 21/66 Q , G01N 21/35 Z , G01N 21/41 Z

Fターム (22件)：

2G059AA02 , 2G059AA03 , 2G059BB16 , 2G059EE01 , 2G059EE02 , 2G059EE10 , 2G059EE12 , 2G059GG04 , 2G059HH01 , 2G059JJ13 , 2G059JJ19 , 2G059KK01 , 2G059MM01 , 4M106AA13 , 4M106BA04 , 4M106BA08 , 4M106CA09 , 4M106CA11 , 4M106DH04 , 4M106DH13 , 4M106DH31 , 4M106DH39

引用特許：

出願人引用 (1件)

シリコン結晶中不純物の赤外吸収測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-068102 出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社

審査官引用 (1件)

シリコン結晶中不純物の赤外吸収測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-068102 出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社

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