特許
J-GLOBAL ID：200903006898472551
低抵抗電極を有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007668
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204887
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】p型GaNへの良好なオーミック電極を形成し、動作電圧及びしきい値電流を低減したGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】p型GaN層のコンタクトメタルとしてV(バナジウム)を用い、これにAuのパッドメタルを積層して熱処理することによりp型GaN表面からGaをコンタクトメタル内に拡散し、さらにVとAuとの間にAuの拡散バリアとしてPtを積層して熱処理することによりp型GaN表面からコンタクトメタルに拡散するGaの濃度プロファイルを制御し、p型GaN表面とVコンタクトメタルとの界面に高抵抗の金属間化合物を生じることなく、前記Vコンタクトメタルと接合するp型GaN層表面を、適度なN過剰(Ga不足)状態とすることにより、良好なオーミック特性を有する電極構造を得ることができる。
請求項（抜粋）：
少なくともGaとNとを組成に含むIII-V 化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に接合されたコンタクトメタルと、このコンタクトメタルに積層されたバリアメタルと、このバリアメタルにさら積層されたパッドメタルとからなる少なくとも3層の金属膜からなる電極を具備し、前記GaとNとを組成に含む化合物半導体層の表面をN過剰としたことを特徴とする低抵抗電極を有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/28 301
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 33/00 C
