特許
J-GLOBAL ID：200903084169898973
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138228
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335705
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 電極を厚く形成してもオーミック接触が良好で、更に、厚いパッド電極形成後にアニーリング処理してもオーミック接触が良く且つ均一に発光及び受光できる窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 p電極5が、ニッケルよりなる第一の薄膜、次に金よりなる第二の薄膜、続いてニッケルより第一イオン化ポテンシャルが大きい及び/又は電気陰性度が大きい第4の元素よりなる第三の薄膜を形成し、これら第一の薄膜〜第三の薄膜が形成される際、少なくとも1つの薄膜が酸素を含有して形成されており、前記第一の薄膜〜第三の薄膜を形成した後、300°C以上でアニーリングして形成されてなる。
請求項（抜粋）：
p型不純物を含有する窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、その半導体層に電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、該電極が、少なくともニッケル、金、酸素並びにニッケルより第一イオン化ポテンシャルが大きい及び/又は電気陰性度が大きい第4の元素を含有してなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
