特許

J-GLOBAL ID：200903006907201795

高分子液晶デバイスの作製方法

発明者： 明石 量磁郎 ,  二宮 正伸 ,  朝長 淳一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071843
公開番号（公開出願番号）：特開平9-258190
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 簡単な操作条件で処理することにより、光散乱性及び光反射性等の光学特性に優れた高分子液晶デバイスを容易に作製する方法を提供する【解決手段】 高分子液晶組成物と溶剤を含む塗布溶液を基材上に塗布し、得られる塗布層を熱アニールすることにより高分子液晶組成物の内部構造を制御して形成される高分子液晶組成物層を有する高分子液晶デバイスの作製において、該塗布層中に溶剤量が10重量%以上含まれる状態で熱アニールを行い、かつ該熱アニールは、該高分子液晶組成物のガラス転移点以上であって透明化点未満の温度範囲で行うことを特徴とする高分子液晶デバイスの作製方法。

請求項（抜粋）：

高分子液晶組成物と溶剤を含む塗布溶液を基材上に塗布し、得られる塗布層を熱アニールすることにより高分子液晶組成物の内部構造を制御して形成される高分子液晶組成物層を有する高分子液晶デバイスの作製方法において、該塗布層中に溶剤量が10重量%以上含まれる状態で熱アニールを行い、かつ該熱アニールは、該高分子液晶組成物のガラス転移点(Tg)以上であって透明化点(Tcl)未満の温度範囲で行うことを特徴とする高分子液晶デバイスの作製方法。

IPC (2件)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/13 101

FI (2件)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/13 101

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-040619
  
• 特開平4-012322
  
• 光学素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072949   出願人：富士ゼロックス株式会社