特許
J-GLOBAL ID:200903006918504838
カスケード式有機電場発光デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 出野 知
, 西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-143802
公開番号(公開出願番号):特開2004-342614
出願日: 2004年05月13日
公開日(公表日): 2004年12月02日
要約:
【課題】 カスケード式有機電場発光デバイスの光抽出量を高めること。【解決手段】 a)アノード、b)カソード、c)該アノードと該カソードの間に配置された複数の有機電場発光ユニットであって、少なくとも正孔輸送層、電子輸送層および該正孔輸送層と該電子輸送層との間に形成された電場発光帯域を含み、かつ、隣り合う該電場発光帯域の間の物理的間隔が90nmより大である有機電場発光ユニット、ならびにd)各隣接有機電場発光ユニット間に配置された連結ユニットであって、順にn型ドープト有機層およびp型ドープト有機層を含むことにより透明なp-n接合構造を形成し、かつ、該ドープト有機層の各々が10Ω-cmより高い抵抗率を有する連結ユニットを含んで成るカスケード式有機電場発光デバイス。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
a)アノード、
b)カソード、
c)該アノードと該カソードの間に配置された複数の有機電場発光ユニットであって、少なくとも正孔輸送層、電子輸送層および該正孔輸送層と該電子輸送層との間に形成された電場発光帯域を含み、かつ、隣り合う該電場発光帯域の間の物理的間隔が90nmより大である有機電場発光ユニット、ならびに
d)各隣接有機電場発光ユニット間に配置された連結ユニットであって、順にn型ドープト有機層およびp型ドープト有機層を含むことにより透明なp-n接合構造を形成し、かつ、該ドープト有機層の各々が10Ω-cmより高い抵抗率を有する連結ユニット
を含んで成るカスケード式有機電場発光デバイス。
IPC (2件):
FI (2件):
H05B33/12 C
, H05B33/14 A
Fターム (7件):
3K007AB03
, 3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007BA05
, 3K007DA06
, 3K007DB03
, 3K007FA01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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