特許
J-GLOBAL ID:200903054162998313

有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-352488
公開番号(公開出願番号):特開2003-264085
出願日: 2002年12月04日
公開日(公表日): 2003年09月19日
要約:
【要約】【課題】 従来の有機半導体素子の構成に新規な概念を導入することで、従来の超薄膜を用いることなく、より信頼性が高い上に歩留まりも高い有機半導体素子を提供することを課題とする。また、特に有機半導体を用いたフォトエレクトロニクスデバイスにおいては、その効率も向上させることを課題とする。【解決手段】 SCLCを流すことにより様々な機能を発現する有機薄膜層(機能性有機薄膜層)と、アクセプタまたはドナーをドープするなどの手法で暗導電性を発現させた導電体薄膜層(オーミック導電体薄膜層)を交互に積層した有機構造体を、陽極と陰極との間に設ける。
請求項(抜粋):
二つの電極の間に、1番目からn番目(nは2以上の整数)までのn個の機能性有機薄膜層を順次積層してなる有機構造体が設けられた有機半導体素子において、k番目(kは、1≦k≦(n-1)なる整数)の機能性有機薄膜層とk+1番目の機能性有機薄膜層との間には全て、フローティング状の導電体薄膜層が設けられており、前記導電体薄膜層は、前記機能性有機薄膜層に対してオーム接触していることを特徴とする有機半導体素子。
IPC (6件):
H05B 33/14 ,  H01L 31/04 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26
FI (7件):
H05B 33/14 A ,  H05B 33/12 C ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 D ,  H05B 33/26 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 31/04 D
Fターム (14件):
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB11 ,  3K007DA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F051AA11 ,  5F051BA17 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051DA03 ,  5F051DA17 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06
引用特許:
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る