特許

J-GLOBAL ID：200903006923955449

プラズマ成膜方法

発明者： 石川 拓
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396241
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159049
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 プラズマ生成領域と成膜領域が分けられたプラズマ成膜装置において,膜質の向上を図る。【解決手段】 プラズマ成膜装置において,処理容器内を減圧し,ラジアルラインスロットアンテナからマイクロ波をパルス状に供給する。処理容器内は,例えば4.0Pa程度に減圧され,マイクロ波のパルスは,例えばデューティー比が50%程度,繰り返し周期が10〜100kHzに設定される。こうすることにより,生成されるプラズマのエネルギが抑えられ,荷電粒子の衝突による基板上の膜の破損,劣化が抑制される。この結果,良質の膜が形成される。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板を載置する載置台とプラズマ生成用の高周波を供給する高周波供給部とが対向配置され,プラズマの通過可能な仕切部材によって前記載置台と高周波供給部との間の空間が前記高周波供給部側のプラズマ生成領域と前記載置台側の成膜領域とに分けられている処理容器内で,高周波供給部から供給される高周波によってプラズマを生成して,前記載置台上の基板に成膜する方法であって, 前記処理容器内を減圧した状態で,前記高周波供給部から高周波を所定の繰り返し周期のパルス状に供給することによって,前記プラズマを生成することを特徴とする,プラズマ成膜方法。

IPC (5件)：

H01L21/314 ,  C23C16/26 ,  C23C16/515 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

FI (6件)：

H01L21/314 A ,  C23C16/26 ,  C23C16/515 ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 M

Fターム (32件)：

4K030BA27 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA18 ,  4K030KA04 ,  4K030KA12 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC00 ,  5F045AC16 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH02 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマ処理装置および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-094273   出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社