集積電子装置用ナノクラスター基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-128197
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310386
出願日： 2005年04月26日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】微細加工技術の進展に対応して、将来の量子ドットによる集積回路技術にまで継続発展せしめる基盤となるウエハ技術の実現。【解決手段】固体材料を気相化して生成された原子群を特定空間領域5に閉じ込め、気相原子同士の衝突による結合で直径5nm以下の寸法のクラスター群6を形成せしめ、形成されたクラスター群6を該特定空間領域5から流出せしめ、クラスター内原子当たりの運動エネルギーが該原子の持つ原子間結合を破壊するエネルギー以下になる速度で基板7上に散布し、基板7上に均一なクラスター膜9を形成し、クラスター形成からクラスター膜9形成の過程において個々のクラスター間に電子的障壁を形成せしめ、基板上の任意の場所にナノクラスター集合体を活用した電子デバイスを形成できる集積電子装置用ナノクラスター基板を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

予め形成された個々の粒径寸法が5nm以下のほぼ均一なクラスターから構成されるクラスター群を、該クラスターの原子当たりの平均運動エネルギーとクラスター散布速度とを所定の値にせしめて基板に散布して形成されたクラスター膜を備え、該クラスラー膜は該クラスター群散布におけるクラスター形成から膜形成までの過程でクラスター表面に現れる原子の未結合手を終端する物質、もしくは該表面に絶縁物質を付加した複合クラスターが集合して形成されてなり、基板上の任意の場所にクラスター集合体を活用した複数の電子デバイスを集積した集積電子回路の複数個を一括して搭載可能な集積電子装置用ナノクラスター基板。

IPC (7件)：

H01L 29/06 , C23C 14/28 , H01L 29/66 , H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/115

FI (5件)：

H01L29/06 601D , C23C14/28 , H01L29/66 S , H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (14件)：

4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BA31 , 4K029BA35 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029DB20 , 5F083EP17 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F101BA54 , 5F101BD30

引用特許：

出願人引用 (2件)

蓄電体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-099241 出願人：日立造船株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
クラスター生成方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-341406 出願人：経済産業省産業技術総合研究所長, 日立造船株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

``クラスタービーム蒸着によるシリコンナノクラスター結晶形成のSTEM観察''
``クラスタービーム蒸着によるシリコンナノクラスター結晶形成のSTEM観察''

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