高周波集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-433148
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191411
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】マザーボード実装時のハンダフィレットが必要でなく、多層基板のグランドを強くとることができる高周波集積回路を提供すること。【解決手段】高周波回路装置の多層基板は、側面グランド電極8がある上層の多層基板1と側面グランド電極の無い1層の下層基板2が重なった構成となっており、上層の多層基板1の裏面にダミーグランド10が形成され、下層基板2の裏面には裏面グランド11と外部電極端子19,20が形成され、上層の多層基板1の最上層表面からダミーグランド10までは上層の多層基板の側面に形成された側面グランド電極8で接続され、ダミーグランド10と裏面グランド11は下層基板2の内部に形成された第1の複数のビアホール18で接続されている。これにより高周波回路装置の多層基板として、表面から裏面までグランドを強く接続することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の誘電体層が積層された多層基板と、前記多層基板に搭載された半導体素子を備えた高周波集積回路装置であって、前記多層基板の表面に前記半導体素子と電子部品が実装されるランドと高周波回路パターンが形成され、前記半導体素子の実装される層面より下層であって、前記多層基板の最下層の上層の裏面にダミーグランドが形成され、前記多層基板の最下層裏面には裏面グランドと外部電極端子が形成され、前記多層基板の最上層表面から前記ダミーグランドまでは前記多層基板の側面形成された側面グランド電極で接続され、前記ダミーグランドと前記裏面グランドは前記多層基板の最下層の内部に形成された第1の複数のビアホールで接続された高周波集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L23/12 , H05K1/02 , H05K1/18

FI (3件)：

H01L23/12 E , H05K1/02 N , H05K1/18 L

Fターム (17件)：

5E336AA04 , 5E336AA16 , 5E336BC34 , 5E336CC32 , 5E336CC51 , 5E336EE03 , 5E336GG03 , 5E336GG05 , 5E336GG30 , 5E338AA03 , 5E338BB05 , 5E338BB75 , 5E338CC06 , 5E338CC08 , 5E338CD32 , 5E338EE02 , 5E338EE51

引用特許：

出願人引用 (1件)

高周波用電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-345507 出願人：京セラ株式会社

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