特許
J-GLOBAL ID:200903042475601513

高周波用電力増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-345507
公開番号(公開出願番号):特開平11-176987
出願日: 1997年12月15日
公開日(公表日): 1999年07月02日
要約:
【要約】【課題】 従来の高周波用電力増幅器は多層基板の製造ロット毎のばらつきをチップ部品を用いて調整することが困難であり、製造工数の増加をもたらしていた。【解決手段】 最上層の絶縁層22aの下面にグランド電極層23を有する多層基板22と、グランド電極層23の下方に形成されたストリップ線路24と、基板22上に形成されストリップ線路24から基板22の上面に導出する接続導体25に電気的に接続されたマイクロストリップ線路26と、基板22上に実装されマイクロストリップ線路26に電気的に接続された電力増幅用トランジスタ27およびチップ部品28と、基板22上にマイクロストリップ線路26に付加して形成され絶縁層の最上層22aを介してグランド電極層23と対向したパッド電極29とを具備する高周波用電力増幅器である。パッド電極29を利用して電気特性を容易に調整できる。
請求項(抜粋):
ガラスを主成分とする複数の絶縁層から成り、該絶縁層の最上層の下面にグランド電極層を有する多層基板と、該多層基板内の前記グランド電極層の下方に形成されたストリップ線路と、前記多層基板上に形成され前記ストリップ線路から前記多層基板の上面にかけて導出する接続導体に電気的に接続されたマイクロストリップ線路と、前記多層基板上に実装され前記マイクロストリップ線路に電気的に接続された電力増幅用トランジスタおよびチップ部品と、前記多層基板上に前記マイクロストリップ線路に付加して形成され前記絶縁層の最上層を介して前記グランド電極層と対向したパッド電極とを具備することを特徴とする高周波用電力増幅器。
IPC (2件):
H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12
FI (4件):
H01L 23/12 301 L ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 E
引用特許:
審査官引用 (1件)

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