特許

J-GLOBAL ID：200903006968406160

微細溝をシリカ質材料で埋封する方法及びシリカ質膜付き基材

発明者： 清水 泰雄 ,  田代 祐治 ,  青木 倫子
出願人/特許権者： 東燃ゼネラル石油株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-128988
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308090
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 微細溝をシリカ質材料によって均質に埋封することができる方法を提供する。【解決手段】 ポリスチレン換算重量平均分子量が3000〜20000の範囲にあるペルヒドロポリシラザンの溶液を、最深部の幅が0.2μm以下であってその幅に対する深さの比が2以上である溝を少なくとも一つ有する基材に塗布して乾燥することにより前記溝を前記ペルヒドロポリシラザンで埋封し、その後前記ペルヒドロポリシラザンを水蒸気を含む雰囲気において加熱することによりシリカ質材料に転化することを特徴とする、微細溝をシリカ質材料で埋封する方法。

請求項（抜粋）：

ポリスチレン換算重量平均分子量が3000〜20000の範囲にあるペルヒドロポリシラザンの溶液を、最深部の幅が0.2μm以下であってその幅に対する深さの比が2以上である溝を少なくとも一つ有する基材に塗布して乾燥することにより前記溝を前記ペルヒドロポリシラザンで埋封し、その後前記ペルヒドロポリシラザンを水蒸気を含む雰囲気において加熱することによりシリカ質材料に転化することを特徴とする、微細溝をシリカ質材料で埋封する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/90 Q

Fターム (34件)：

4G072AA25 ,  4G072AA41 ,  4G072BB09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072JJ11 ,  4G072MM31 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR05 ,  4G072UU01 ,  5F032AA35 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA54 ,  5F032AA69 ,  5F032AA78 ,  5F032DA09 ,  5F032DA10 ,  5F032DA24 ,  5F032DA74 ,  5F033RR04 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• トレンチ・アイソレーション構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-116427   出願人：日本電気株式会社
• スパッタリング用窒化珪素系ターゲット材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349559   出願人：東燃株式会社