特許
J-GLOBAL ID：200903006979027153
表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-331388
公開番号（公開出願番号）：特開平10-161564
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 画素部分の開口率が高く、発光寿命の長い表示装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板2上の各画素領域内に、それぞれ、選択トランジスタQ1とメモリトランジスタQ2とが形成され、これらトランジスタの上にカソード電極15を画素領域を略覆うように形成する。カソード電極15の上には、順次有機EL層16、アノード電極17を形成する。メモリトランジスタQ2のゲート絶縁膜を不純物イオンがドープされた窒化シリコン膜で形成することにより、EEPROM機能をもつ薄膜トランジスタとする。このような構成としたことにより、メモリトランジスタQ2で有機EL素子3の駆動を1フレーム期間維持させることが可能となる。このため、各画素での高輝度化を図ることなく、面輝度を確保できるため、有機EL層16に過剰な電圧を印加しなくてもよく、有機EL層16の劣化を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられ、走査ライン及び信号ラインに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上方に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられ、電界に応じて光を発光する電界発光層と、前記電界発光層上に設けられ、前記電界発光層の光を透過する第2電極と、を有する発光素子と、からなることを特徴とする表示装置。
IPC (4件)：
G09F 9/30 365
, H01L 29/786
, H05B 33/08
, H05B 33/12
G09F 9/30 365 D
, H05B 33/08
, H05B 33/12
, H01L 29/78 612 B
