光PNPNスイッチ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227976
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097403
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 1チップで交流のスイッチングを行うことができ、しかも転流特性を改善できる光PNPNスイッチを提供する。【構成】 N型またはP型のうち一方の導電型を持つシリコン基板1の表面側に、N型またはP型のうち他方の導電型を持つアノード拡散領域2と、このアノード拡散領域2に対向する上記他方の導電型を持つゲート拡散領域3と、このゲート拡散領域3内に形成され上記一方の導電型を持つカソード拡散領域3とを有するPNPN部を一対備える。この一対のPNPN部ch1,ch2は、上記基板表面の一方向両側に、互いに離間して設けられ、上記一対のPNPN部ch1,ch2の間に、上記基板表面から基板内に止まる深さを持つ切り込み溝15が形成されている。

請求項（抜粋）：

N型またはP型のうち一方の導電型を持つシリコン基板の表面側に、N型またはP型のうち他方の導電型を持つアノード拡散領域と、このアノード拡散領域に対向する上記他方の導電型を持つゲート拡散領域と、このゲート拡散領域内に形成され上記一方の導電型を持つカソード拡散領域とを有するPNPN部を一対備えた光PNPNスイッチにおいて、上記一対のPNPN部は、上記基板表面の一方向両側に、互いに離間して設けられ、上記一対のPNPN部の間に、上記基板表面から基板内に止まる深さを持つ切り込み溝が形成されていることを特徴とする光PNPNスイッチ。

IPC (3件)：

H01L 29/74 , H01L 29/747 , H01L 31/111

FI (2件)：

H01L 29/74 E , H01L 31/10 F

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-125666
特開平2-125666
特開昭63-202969

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