特許
J-GLOBAL ID：200903006996961030
GaN系化合物半導体製造用アンモニア製品、GaN系化合物半導体の製造方法及びGaN系化合物半導体製造用アンモニアの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-227905
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335899
出願日： 2007年09月03日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】本発明は、発光特性に優れたGaN系化合物半導体を確実に製造することができるGaN系化合物半導体の製造方法の提供、及びGaN系化合物半導体製造用アンモニア製品及びGaN系化合物半導体製造用アンモニアの製造方法の提供を目的とする。【解決手段】充填容器18と、充填容器18内に少なくとも一部が液体となるように充填されたアンモニアを具備し、該液相のアンモニア中の水分濃度が、0.5volppm以下であることを特徴とするGaN系化合物半導体製造用アンモニアであって、充填容器18の材料が、マンガン鋼またはアルミニウム合金であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
充填容器と、該充填容器内に少なくとも一部が液体となるように充填されたアンモニアを具備し、該液相のアンモニア中の水分濃度が、0.5volppm以下であることを特徴とするGaN系化合物半導体製造用アンモニア製品であって、該充填容器の材料が、マンガン鋼またはアルミニウム合金であることを特徴とするGaN系化合物半導体製造用アンモニア製品。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C01C 1/02
, C23C 16/34
H01L21/205
, C01C1/02 E
, C23C16/34
4K030AA06
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA21
, 4K030BA38
, 4K030BB12
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030DA03
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030JA06
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AF09
