特許
J-GLOBAL ID：200903089979539815

化合物半導体エピタキシャルウエハ

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282524
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125608
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 バッファ層上に成長したIII 族窒化物層から構成される化合物半導体エピタキシャルウエハにあって、特に、素子特性の均一化を帰結する結晶性及び表面状態に優れるIII 族窒化物成長層を提供する。【解決手段】 結晶基板表面上に積層したIII 族窒化物半導体からなるバッファ層と、該バッファ層上に積層したIII 族窒化物半導体からなるエピタキシャル層とから構成される化合物半導体エピタキシャルウエハに於いて、該バッファ層が単結晶粒の集合体からなり、前記バッファ層を構成する単結晶粒は、as-grown状態で相互に接合する側面を迂曲として合着し、かつ頂部の天板部を略平担若しくは曲面状としてなるものとする。また、該単結晶粒が、単結晶面の積層方向(配向方向)が互いになす角度を30度以内として接合してなるものとする。
請求項（抜粋）：
結晶基板表面上に積層したIII 族窒化物半導体からなるバッファ層と、該バッファ層上に積層したIII 族窒化物半導体からなるエピタキシャル層とから構成される化合物半導体エピタキシャルウエハに於いて、該バッファ層が単結晶粒の集合体からなり、前記バッファ層を構成する単結晶粒は、as-grown状態で相互に接合する側面を迂曲として合着し、かつ頂部の天板部を略平担若しくは曲面状としてなることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウエハ。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
  • GaN薄膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-045405   出願人：理化学研究所
  • 窒化ガリウム系半導体の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-066110   出願人：松下電器産業株式会社
  • 被覆部材
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-324170   出願人：京セラ株式会社
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