特許
J-GLOBAL ID：200903007031708818
絶縁ゲート型半導体素子の故障検出方法および故障検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076612
公開番号（公開出願番号）：特開2002-281736
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】素子の故障を速やかに検出すること。【解決手段】絶縁ゲート型半導体素子10の正負ゲート電流を整流して1方向化した電圧を得る整流手段20と、整流手段20により1方向化された電圧を所定の検出電圧設定値と比較し出力する比較手段17と、比較手段17からの比較出力を波形整形する波形整形手段22と、波形整形手段22により波形整形された信号とオン、オフ指令信号との不一致検出を行なうことで、素子の故障を検出する不一致検出手段19とを備える。
請求項（抜粋）：
ゲート指令信号であるオン、オフ指令信号により、ゲートに所定の第1の電圧のオン信号が印加されて所定時間だけ導通し、前記ゲートに所定の第2の電圧の信号が印加されて所定時間だけ不導通となる絶縁ゲート型半導体素子の故障検出方法において、前記絶縁ゲート型半導体素子のゲート電流を検出し、当該ゲート電流の立ち上がり信号からオン相当の時間を求め、当該時間を前記ゲート指令信号と比較して両者の不一致を検出することで、素子の故障を検出するようにしたことを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子の故障検出方法。
Fターム (3件)：
5H740AA08
, 5H740BA11
, 5H740MM11
