特許
J-GLOBAL ID：200903007057214155

半導体装置の製造方法

発明者：
中村 彰信

中村 彰信 について

, 
山本 賢一

山本 賢一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-347550
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173999
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体膜の溶解および表面の変質を防止しつつエッチング残渣を効果的に除去する方法を提供すること。【解決手段】 容量下部電極層113、強誘電体膜114、および容量上部電極層115をこの順で成膜した後、フォトレジスト116を用いてドライエッチングし、パターニングする。次いでアルカリ性洗浄液を用いてエッチング残渣117を除去する。アルカリ性洗浄液としては、たとえばpH8以上のアンモニア水を用いる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に強誘電体膜を形成する工程と、該強誘電体膜の上部にマスクを形成し、該マスクを用いて前記強誘電体膜をドライエッチングする工程と、アルカリ性洗浄液を用いて洗浄を行う工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 27/10 651
Fターム (19件)：
5F004AA09 ,  5F004DB08 ,  5F004DB13 ,  5F083AD24 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (1件)

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