特許
J-GLOBAL ID：200903007088509382
半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191642
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 素子全体の薄型化を実現することができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 化合物半導体の結晶からなる半導体積層部12をチップ状として備えた半導体発光素子Aであって、上記半導体積層部12からその結晶成長に用いられた基板が除去された状態で、その半導体積層部12を接合搭載する薄片状のベース部材2と、上記ベース部材2の上記半導体積層部12を接合搭載する表面2aに、異なる極性の電極端子部3a,3bを有して形成された導電膜3と、上記導電膜3の電極端子部3aと上記半導体積層部12とを導通接続する導電部材4とを備えている。
請求項（抜粋）：
化合物半導体の結晶からなる半導体積層部をチップ状として備えた半導体発光素子であって、上記半導体積層部からその結晶成長に用いられた基板の全部またはその一部が除去された状態で、その半導体積層部を接合搭載する薄片状のベース部材と、上記ベース部材の上記半導体積層部を接合搭載する表面に、異なる極性の電極端子部を有して形成された導電膜と、上記導電膜の電極端子部それぞれと上記半導体積層部とを導通接続する導電部材と、を備えたことを特徴とする、半導体発光素子。
引用特許：
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