特許

J-GLOBAL ID：200903007106201390

太陽電池用半導体基板の製造方法

発明者： 高場 芳朗 ,  福村 弘之 ,  山嵜 一郎 ,  小松 雄爾 ,  栗本 祐司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-159728
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340643
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 半導体基板、特に結晶粒毎に面方位が異なる多結晶シリコン基板に、良好な特性を有する光閉じ込め構造を形成し、反射率を低下させて、高効率太陽電池を提供することを課題とする。【解決手段】 表面にダメージ層を有する半導体基板を、酸溶液への浸漬処理、水洗処理、アルカリ溶液への浸漬処理および水洗処理に順次付し、表面に光閉じ込め構造の凹凸形状を有する半導体基板を得ることを特徴とする太陽電池用半導体基板の製造方法により、上記の課題を解決する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

表面にダメージ層を有する半導体基板を、酸溶液への浸漬処理、水洗処理、アルカリ溶液への浸漬処理および水洗処理に順次付し、表面に光閉じ込め構造の凹凸形状を有する半導体基板を得ることを特徴とする太陽電池用半導体基板の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (6件)：

5F051AA03 ,  5F051CB20 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特公平7-105518号公報
  
• 太陽電池用基板の粗面化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-293030   出願人：京セラ株式会社
• 多結晶性シリコンを含む太陽電池およびP-型多結晶性シリコンの表面の組織化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-302004   出願人：フオトワツト・アンテルナシヨナル・エス・アー

審査官引用 (2件)

• 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-105760   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体基板表面の凹凸形成方法および太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-140026   出願人：シャープ株式会社