特許
J-GLOBAL ID:200903094750516955

太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-105760
公開番号(公開出願番号):特開平10-303443
出願日: 1997年04月23日
公開日(公表日): 1998年11月13日
要約:
【要約】【課題】 湿式エッチングにより単結晶シリコンのみならず多結晶シリコン表面に対しても面内均一に微細な凹凸を形成し、シリコン太陽電池の光閉じ込め効果を改善し、高効率の太陽電池の提供を、さらに高効率の太陽電池の製造に当たって量産性に優れた方法を提供することである。【解決手段】 弗酸、硝酸、リン酸を主体とした混酸に界面活性剤を加えたエッチング液にシリコン基板を浸漬し、その後処理として数%のアルカリにて、表面に形成された不純物膜除去して微細凹凸を形成する方法、およびこれらの処理を行ない光入射表面の球面状の凹凸構造を形成した基板を用いた太陽電池、この処理を実現し高効率の太陽電池を作成するための装置、特に、このプロセスを安定して行うために必須の硝酸濃度を一定に維持するための機能を有する湿式エッチング装置を示す。
請求項(抜粋):
フッ酸、硝酸及びエッチング処理の速度の調整可能な少なくともリン酸又は炭素数が少ない水溶性のカルボン酸を含む調整剤を混合して混酸水溶液とし、前記混酸水溶液をエッチング液としてシリコン基板を浸漬し、前記シリコン基板の表面に微細な凹凸形状を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01L 21/306
FI (3件):
H01L 31/04 H ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 J
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (5件)
  • 特開平3-039491
  • 洗浄装置および洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-019825   出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 特開昭51-019483
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