強誘電体キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ、圧電素子。

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-302901
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311924
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】バリア膜を不要とした簡便なプロセスで十分な特性を担保できる、強誘電体キャパシタおよびその製造方法、ならびにかかる強誘電体キャパシタを用いた強誘電体メモリ、圧電素子を提供する。【解決手段】本発明の強誘電体キャパシタの製造方法は、所与の基体10上に下部電極20を形成すること、前記下部電極20上にPb、Zr、Ti、およびNbを構成元素として含むPZTN複合酸化物からなる強誘電体膜30を形成すること、前記強誘電体膜30の上に上部電極40を形成すること、前記下部電極20、強誘電体膜30、および上部電極40を被覆するように保護膜50を形成すること、少なくとも前記保護膜50を形成した後に、前記PZTN複合酸化物を結晶化するための熱処理を行うこと、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所与の基体上に下部電極を形成すること、前記下部電極上にPb、Zr、Ti、およびNbを構成元素として含むPZTN複合酸化物からなる強誘電体膜を形成すること、前記強誘電体膜の上に上部電極を形成すること、前記下部電極、強誘電体膜、および上部電極を被覆するように保護膜を形成すること、少なくとも前記保護膜を形成した後に、前記PZTN複合酸化物を結晶化するための熱処理を行うこと、を含む、強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (11件)：

H01G4/12 , B41J2/16 , H01G4/10 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/24

FI (12件)：

H01G4/12 400 , H01G4/10 , H01L27/10 444B , H01L27/10 444C , H01L41/08 D , H01L41/18 101D , H01L41/22 A , H01L41/22 Z , H01L41/08 L , H01L41/08 J , H01L27/04 C , B41J3/04 103H

Fターム (47件)：

2C057AF65 , 2C057AF93 , 2C057AG47 , 2C057AP14 , 2C057AP57 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 5E001AB06 , 5E001AE00 , 5E001AE03 , 5E001AH00 , 5E001AH02 , 5E001AH03 , 5E001AH08 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5E082AB03 , 5E082BC40 , 5E082EE05 , 5E082EE37 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082FG46 , 5E082MM24 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083GA28 , 5F083GA29 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA02 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

誘電体キャパシタの製造方法および半導体記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-034815 出願人：ソニー株式会社
圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド、それらの製造方法およびプリンタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-108166 出願人：セイコーエプソン株式会社

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