特許

J-GLOBAL ID：200903007114276057

透明導電膜の形成方法

発明者： 鹿間 共一 ,  須崎 嘉文 ,  田中 治 ,  丹下 善弘
出願人/特許権者： 大倉工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100530
公開番号（公開出願番号）：特開平11-279756
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【目的】基材上にITO膜を成膜するにおいて基材を高温に加熱する必要がなく、光線透過率が高く、しかも低比抵抗のITO膜を形成する方法を提供すること。【構成】酸化インジウムに酸化錫をドープした焼結ターゲット、または、インジウムに錫をドープした金属ターゲットを用いて、酸素雰囲気中で基板上にITOからなる透明導電膜を形成するイオンビームスパッタ法において、アシスト用イオンビームガンを用いてヘリウムからなるアシストガスをイオン化しつつ基板面に照射し、基板上にITO膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムに酸化錫をドープした焼結ターゲット、またはインジウムに錫をドープした金属ターゲットを用いて、酸素雰囲気中で基板上にITOからなる透明導電膜を形成するイオンビームスパッタ法において、成膜時にアシスト用イオンビームガンを用いてヘリウムからなるアシストガスをイオン化しつつ基板面に照射しながらITO膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C01G 19/00 ,  C23C 14/48 ,  H01B 13/00 503

FI (4件)：

C23C 14/34 N ,  C01G 19/00 A ,  C23C 14/48 D ,  H01B 13/00 503 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 膜の作製方法および膜の改質方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-208791   出願人：株式会社日立製作所