特許
J-GLOBAL ID：200903007117630447
半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124769
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316433
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 酸素の欠損が無く、半導体装置の信頼性向上を図り得る半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法を提供する。【構成】 p形シリコン基板1上に熱酸化膜2を形成し、その上に白金下部電極3を形成し、本発明の特徴部分であるPZTの成膜を行う。即ち、白金下部電極3の上に酢酸鉛/チタンイソプロポキシド/ジルコニウムイソプロポキシド/過酸化チタンを含むゾル溶液を塗布し、ソフトベークを行って、PZT前駆体の薄膜4を形成する。次に、これを酸素雰囲気中700°Cで熱処理を行い、ペロブスカイト型結晶のPZT薄膜5を得る。必要に応じてこれらの操作を繰り返し、所望の膜厚とする。
請求項（抜粋）：
支持基板上に金属アルコキシドからなるゾルーゲル法におけるゾル溶液を塗布して焼成する半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法において、(a)支持基板上に下地配線を行う工程と、(b)その上に過酸化チタンまたはその誘導体を含んでなるゾル溶液を塗布し、ソフトベークを行って、PZT前駆体の薄膜を形成する工程と、(c)酸素雰囲気中で熱処理を行い、ペロブスカイト型結晶のPZT薄膜を形成する工程とを施すことを特徴とする半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C04B 35/49
, H01L 21/316
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 41/187
H01L 27/10 651
, H01L 21/316 U
, H01L 21/316 C
, C04B 35/49 A
, H01L 27/04 C
, H01L 41/18 101 D
