薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065740
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275524
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、大面積基板を用いて電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを安定かつ再現性の高いプロセスで製造することができる方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、少なくとも成膜面がガラス等の絶縁材料からなる基板7上に、非晶質シリコン膜1を形成し、その後に非晶質シリコン膜1にレーザ等の強エネルギー線を複数回照射することにより前記非晶質シリコン膜1を結晶化する薄膜トランジスタの製造方法において、450°C以下の温度におけるジシランの熱分解反応により生成させた非晶質シリコン膜1を使用し、この非晶質シリコン膜1に対し、エネルギー密度200mJ/cm2以上の強エネルギー線をパルス照射して結晶化するものである。

請求項（抜粋）：

少なくとも成膜面がガラス等の絶縁材料からなる基板上に、非晶質シリコン膜を形成し、その後に非晶質シリコン膜にレーザ等の強エネルギー線を複数回照射することにより前記非晶質シリコン膜を結晶化する薄膜トランジスタの製造方法において、450°C以下の温度におけるジシランの熱分解反応により生成させた非晶質シリコン膜を使用し、この非晶質シリコン膜に対し、エネルギー密度200mJ/cm2以上の強エネルギー線をパルス照射して結晶化することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (5件)

アモルフアスシリコン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190134 出願人：昭和電工株式会社
特開平4-321219
特開昭64-080020

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