特許

J-GLOBAL ID：200903007151389910

半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置

発明者： マシューズ ロバート ロジャー
出願人/特許権者： レガシー システムズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-504711
公開番号（公開出願番号）：特表平9-501017
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】半導体ウェーハから有機物質を除去する方法を提供する。この方法は、周囲以下の脱イオン水を用いることを含み、オゾンをこの水中に吸収させる。オゾン含有水は、ウェーハ上に流れ、オゾンは、ウェーハからの有機物質を不溶性ガスに酸化する。オゾン含有水は、その場で、オゾンを、ウェーハおよび周囲以下の脱イオン水を含むタンク中に拡散させることにより製造することができる。また、半導体ウェーハ(14)を流体で処理するためのタンク(13)および、ガスを、ウェーハ処理タンク(13)中の流体中に直接拡散させるためのガスディフューザー(4)を提供する。

請求項（抜粋）：

有機物質を半導体ウェーハから除去するにあたり、ウェーハを、オゾンおよび水の溶液と、約1〜約15°Cの温度で接触させることを特徴とする、有機物質を半導体ウェーハから除去する方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 3/10 ,  C02F 1/32 ,  C02F 1/72 101 ,  C02F 1/78 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/306

FI (8件)：

H01L 21/304 341 M ,  B08B 3/10 Z ,  C02F 1/32 ,  C02F 1/72 101 ,  C02F 1/78 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/306 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-136329
  
• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315068   出願人：クロリンエンジニアズ株式会社
• 特開平1-132126