基板処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：米澤明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315068
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152270
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】オゾンによるウエハなどの基板上の有機物被膜、好ましくない付着物等を除去する速度を高める。【構成】オゾン含有気体8によってシリコンウエハなどの基板3上の有機物被膜、好ましくない有機化合物あるいは無機化合物の付着物等の被処理物に、オゾン含有気体を超純水中7を通して湿潤な気体とした後、オゾン含有気体を超純水中に注入して発生した気泡と液面の近傍で接触させるか、あるいはオゾン含有気体と超純水との混相流を基板上にスプレーすることによって、常温で基板上の被処理物を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ等の基板を処理する方法において、処理液中を通過させたオゾン含有気体を基板表面の被処理物に作用させて、被処理物面にオゾンを含有する処理液の薄膜を形成して、基板を加熱することなく被処理物を除去することを特徴とする基板処理方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-302144
加圧浮上分離法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-189369 出願人：住友精密工業株式会社

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