特許
J-GLOBAL ID:200903007158555697
強磁性p型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-247959
公開番号(公開出願番号):特開2001-072496
出願日: 1999年09月01日
公開日(公表日): 2001年03月21日
要約:
【要約】【課題】 強磁性転移温度の高い単結晶ZnO薄膜の合成。【構成】 遷移金属元素Mnとp型ドーパントを含有している強磁性p型単結晶酸化亜鉛および遷移金属元素Mnとn型ドーパントとp型ドーパントを含有している強磁性p型単結晶酸化亜鉛。本発明の単結晶酸化亜鉛を、既に実現しているn型およびp型の透明電極ZnOや光ファイバーと組み合わせることにより量子コンピュータや大容量光磁気記録、また可視光から紫外光領域にわたる光エレクトロニクス材料として高性能な情報通信、量子コンピュータへの応用が可能となる。
請求項(抜粋):
遷移金属元素Mnとp型ドーパントを含有している強磁性p型単結晶酸化亜鉛。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (11件):
4G077AA03
, 4G077AB05
, 4G077BB07
, 4G077DA01
, 4G077DB01
, 4G077EB01
, 4G077EB02
, 5E049AB09
, 5E049AB10
, 5E049BA22
, 5E049BA23
引用特許:
引用文献: